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武汉新芯汇集三大技术统筹陆DRAM发展dd-【新闻】

发布时间:2021-04-07 09:42:46 阅读: 来源:控制阀厂家

武汉新芯汇集三大技术统筹陆DRAM发展

OFweek电子工程网讯 TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange指出,中国大陆于2014年10月宣布成立国家集成电路产业投资基金(中国简称为大基金)成立,进军DRAM领域成为中国半导体计划的第一步。在经过六大地方政府竞逐DRAM生产基地后,近日由大陆工信部电子信息司司长丁文武所主导的半导体小组,属意武汉新芯成为中国DRAM产业发展计划的首要重点区域,未来可能由上海中芯国际营运长赵海军领军、并以武汉新芯做为增资平台。 DRAMeXchange认为,除了大基金外,中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等都会投资,远期计划要募集到240亿美元的规模,长期产能目标达每月30万片,正式展开中国DRAM产 业发展的计划;未来武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR三大技术成为未来中国重要的存储器芯片产业基地。 DRAMeXchange 指出,武汉新芯成立于2006年,是湖北省与武汉市的重大战略投资项目,2008年12吋正式完工并开始投片,原为中芯国际旗下的一座工厂,后来2013 年中芯国际退出营运,武汉新芯正式独立成单一公司,由武汉市政府负责,经营团队多在国际半导体公司都有历练,具有相当的技术根基。 DRAMeXchange 进一步指出,武汉新芯位处东湖开发区,占地达531亩,目前有一座12吋晶圆厂运作中,现有工厂初期产品以NOR为主,2015年年初正式与 Spansion合作,展开3D NAND的技术开发。从目前工厂规模来看,武汉新芯一厂投片已接近满载水位,倘若再加上DRAM产能,势必将再兴建另一座12吋晶圆厂来满足未来产能的需 求。 DRAMeXchange预估,未来武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR技术成为中国半导体产业的技术领头羊,并且将成为至少拥有二座12吋晶圆厂的中国存储器芯片基地。

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